单壁碳纳米管的手性选择性修饰和制备方面取得新进展
文章类型:科研动态 阅读次数:3682 发表时间:2009-05-04 15:58:09
单壁碳纳米管管壁具有卷曲的石墨片层结构,根据卷曲方式(用(n,m)指标化,也称碳纳米管的手性)的不同可表现为金属性或者带隙不同的半导体性。碳纳米管的结构特点决定了手性可控的制备和修饰是一个难题,同时也是碳纳米管应用中的关键问题之一。李彦课题组近期在手性选择性的制备和修饰方面取得一些重要进展。

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构筑场效应晶体管需要半导体性碳纳米管,但一般制备出的产品均是1/3金属性和2/3半导体性碳纳米管的混合物。李彦课题组与美国杜克大学刘杰教授合作,利用金属性管和半导体性管在化学反应活性上的微小差异,在生长过程中引入弱氧化条件阻止金属性管的生长,辅以基底的作用,首次在石英表面上直接制备出了纯半导体性单壁碳纳米管阵列。大量Raman光谱数据以及超长管薄膜器件的I-V测量结果表明半导体性管含量达95%-98%。(Nano Lett. 2009, 9, 800)